Wpis użytkownika redve w Hydepark

Jeszcze warto dodać że BJT mają dobrą liniowość wzmocnienia więc nadaję się lepiej do wzmacniania sygnałów analogowych

@redve Fajne pytanie. Trochę z pogranicza wierzeń czy zabobonów :grinning:
Jeśli skupimy się na zamienniku do przekaźnika to w zasadzie żaden się nie nadaje, bo nie jest izolowany.
Jeśli chodzi i zwykły klucz nieizolowany typu open collector/drain : czasem lepiej jeden a czasem drugi. Już pisano coś o tym w tym wątku.
Od siebie dodam tylko sugestię że MOSy i BJT mają inne charakterystyki szumowe, ale w przypadku kluczy to nie ma znaczenia.
No i kwestia tej częstotliwość pracy. To nie do końca prawda że BJT są szybsze (patrz: HEMT).
Ciekawostką jest też pewna rzadko wykorzystywana cecha MOSów: są częściowo symetryczne i mają wbudowaną diodę.

@redve dzień dobry panu.

Tranzystory MOSFET z kanałem typu N i tranzystory NPN mają różne zastosowania, a wybór zależy od konkretnego przypadku. Kilka kluczowych różnic:

MOSFET z kanałem typu N:Przełączanie napięciowe*: Sterowanie MOSFET odbywa się za pomocą napięcia bramki, co jest bardziej efektywne.
Niskie straty mocy w stanie przewodzenia*: MOSFET ma niższe straty mocy w stanie przewodzenia niż tranzystory NPN.
Wyższa impedancja wejściowa*: MOSFET ma dużą impedancję wejściową, co minimalizuje obciążenie układu źródłowego.
Często stosowane w układach zasilanych napięciem logicznym*.
Tranzystory NPN:Przełączanie prądowe*: Sterowanie NPN odbywa się za pomocą prądu bazowego, co może być mniej efektywne niż napięciowe sterowanie MOSFET.
Wysoka moc wyjściowa*: Tranzystory NPN mogą dostarczać dużą ilość prądu do obciążenia.
Stosowane w układach analogowych i cyfrowych*.

Jeśli chodzi o przełączanie stanów, oba typy mogą być używane jako przełączniki. Tranzystory NPN są często stosowane w takich przypadkach, ale MOSFET z kanałem typu N również mogą być równie skuteczne.

Wybór zależy od szczegółów projektu, takich jak: prąd, napięcie, częstotliwość przełączania i dostępność komponentów. Jeśli prąd jest niski, a częstotliwość przełączania nie jest zbyt wysoka, MOSFET może być dobrym wyborem. Jeśli jednak potrzebujesz większej mocy wyjściowej lub pracujesz w układach analogowych, tranzystory NPN mogą być bardziej odpowiednie.

Co do przekaźników opartych na elektromagnesie, są one często stosowane w sytuacjach, gdzie wymagane jest izolowanie obwodów lub przekazywanie dużych prądów. Przekaźniki mają swoje ograniczenia, takie jak czas reakcji i zużycie energii, ale są niezawodne i stosowane w wielu aplikacjach. Wybór między przekaźnikiem a MOSFET-em zależy od wymagań projektu i preferencji.

Jak widzisz, wszystko zależy od projektowanego układu. Z całą pewnością, liczy sie to w zasilaczach, gdzie oczekujemy jak najwyższej sprawności.

@Opornik trzeba se było dzieci zrobić za wczasu

To zależy jakim prądem / napięciem chcesz sterować bazę / bramkę, z jaką częstotliwością i jakie akceptujesz straty na przewodzącym tranzystorze (w stanie nasycenia / liniowym). A przy zasilaniu z baterii także jakieś pasożytnicze prądy na nieprzewodzącym tranzystorze. A przede wszystkim jakie napięcia i prądy chcesz przełączać i jakiego typu będzie obciążenie.

mosfet z tego co pamiętam nadaje się do przenoszenia większych prądów niż bjt.
jest też efektywniejszy tj mniej energii idzie w ciepło.
bjt znowu są szybsze

ale piszę to z czachy więc równie dobrze mogę bredzić ;d